Nur als Referenz
Artikelnummer | CSD13201W10 |
LIXINC Part # | CSD13201W10 |
Hersteller | Texas Instruments |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | CSD13201W10 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | CSD13201W10 |
Marke: | Texas Instruments |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Texas Instruments |
Serie: | NexFET™ |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 12 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 1.6A (Ta) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 1.8V, 4.5V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 34mOhm @ 1A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ id: | 1.1V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 2.9 nC @ 4.5 V |
vgs (max): | ±8V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 462 pF @ 6 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 1.2W (Ta) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | 4-DSBGA (1x1) |
Paket / Koffer: | 4-UFBGA, DSBGA |
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Auf Lager | 701069926 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.50000 | $0.5 |
3000 | $0.14438 | $433.14 |
6000 | $0.13563 | $813.78 |
15000 | $0.12688 | $1903.2 |
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