IPBE65R099CFD7AATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPBE65R099CFD7AATMA1 | IPBE65R099CFD7AATMA1 Inventory, Best Pricing

IPBE65R099CFD7AATMA1

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Artikelnummer	IPBE65R099CFD7AATMA1
LIXINC Part #	IPBE65R099CFD7AATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPBE65R099CFD7AATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPBE65R099CFD7AATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPBE65R099CFD7AATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	24A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	99mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 630µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2513 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	127W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO263-7-3-10
Paket / Koffer:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB