YJD80G06A-F1-0000 | YJD80G06A-F1-0000 | YJD80G06A-F1-0000 Inventory, Best Pricing

YJD80G06A-F1-0000

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Artikelnummer	YJD80G06A-F1-0000
LIXINC Part #	YJD80G06A-F1-0000
Hersteller
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	YJD80G06A-F1-0000 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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YJD80G06A-F1-0000 Spezifikationen

Artikelnummer:	YJD80G06A-F1-0000
Marke:
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1990 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	85W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63