ISS55EP06LMXTSA1 | IR (Infineon Technologies) ISS55EP06LMXTSA1 | ISS55EP06LMXTSA1 Inventory, Best Pricing

ISS55EP06LMXTSA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	ISS55EP06LMXTSA1
LIXINC Part #	ISS55EP06LMXTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	ISS55EP06LMXTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 27 - Oct 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

ISS55EP06LMXTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	ISS55EP06LMXTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	180mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	5.5Ohm @ 180mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 11µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	590 pC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	18 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	400mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT23-3-5
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3