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IRF60DM206

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Artikelnummer	IRF60DM206
LIXINC Part #	IRF60DM206
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF60DM206 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRF60DM206 Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF60DM206
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	StrongIRFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	130A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	200 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6530 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	96W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DirectFET™ Isometric ME
Paket / Koffer:	DirectFET™ Isometric ME

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