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NDPL180N10BG

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Artikelnummer	NDPL180N10BG
LIXINC Part #	NDPL180N10BG
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NDPL180N10BG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NDPL180N10BG Spezifikationen

Artikelnummer:	NDPL180N10BG
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	180A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V, 15V
rds auf (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 15V, 50A
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	95 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6.95 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.1W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3
Paket / Koffer:	TO-220-3