R6050JNZ4C13 | ROHM Semiconductor R6050JNZ4C13 | R6050JNZ4C13 Inventory, Best Pricing

R6050JNZ4C13

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Artikelnummer	R6050JNZ4C13
LIXINC Part #	R6050JNZ4C13
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 50A TO247G
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	R6050JNZ4C13 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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R6050JNZ4C13 Spezifikationen

Artikelnummer:	R6050JNZ4C13
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	50A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	15V
rds auf (max) @ id, vgs:	83mOhm @ 25A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	7V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	120 nC @ 15 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4500 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	615W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247G
Paket / Koffer:	TO-247-3

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