TK80S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK80S06K3L(T6L1,NQ | TK80S06K3L(T6L1,NQ Inventory, Best Pricing

TK80S06K3L(T6L1,NQ

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Artikelnummer	TK80S06K3L(T6L1,NQ
LIXINC Part #	TK80S06K3L(T6L1,NQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK80S06K3L(T6L1,NQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK80S06K3L(T6L1,NQ Spezifikationen

Artikelnummer:	TK80S06K3L(T6L1,NQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSIV
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	80A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4200 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	100W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK+
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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