TK32E12N1,S1X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

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Artikelnummer	TK32E12N1,S1X
LIXINC Part #	TK32E12N1,S1X
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK32E12N1,S1X PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK32E12N1,S1X Spezifikationen

Artikelnummer:	TK32E12N1,S1X
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	120 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	60A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	13.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 60 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	98W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220
Paket / Koffer:	TO-220-3