IXFX200N10P | Wickmann / Littelfuse IXFX200N10P | IXFX200N10P Inventory, Best Pricing

IXFX200N10P

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Artikelnummer	IXFX200N10P
LIXINC Part #	IXFX200N10P
Hersteller	Wickmann / Littelfuse
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IXFX200N10P PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IXFX200N10P Spezifikationen

Artikelnummer:	IXFX200N10P
Marke:	Wickmann / Littelfuse
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Wickmann / Littelfuse
Serie:	HiPerFET™, PolarP2™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	200A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	235 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7600 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	830W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PLUS247™-3
Paket / Koffer:	TO-247-3

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