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STT6N3LLH6

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Artikelnummer	STT6N3LLH6
LIXINC Part #	STT6N3LLH6
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STT6N3LLH6 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STT6N3LLH6 Spezifikationen

Artikelnummer:	STT6N3LLH6
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	DeepGATE™, STripFET™ VI
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	3.6 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	283 pF @ 24 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.6W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-6
Paket / Koffer:	SOT-23-6