NVMTS0D4N04CTXG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMTS0D4N04CTXG

NVMTS0D4N04CTXG

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Artikelnummer	NVMTS0D4N04CTXG
LIXINC Part #	NVMTS0D4N04CTXG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVMTS0D4N04CTXG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NVMTS0D4N04CTXG Spezifikationen

Artikelnummer:	NVMTS0D4N04CTXG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	79.8A (Ta), 558A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	0.45mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	251 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	16500 pF @ 20 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	5W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFNW (8.3x8.4)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN