IPB80N06S207ATMA4 | Rochester Electronics IPB80N06S207ATMA4 | IPB80N06S207ATMA4 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S207ATMA4

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Artikelnummer	IPB80N06S207ATMA4
LIXINC Part #	IPB80N06S207ATMA4
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPB80N06S207ATMA4 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPB80N06S207ATMA4 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPB80N06S207ATMA4
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.3mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 180µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3.4 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	250W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO263-3-2
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB