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BSS84XHZGG2CR

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Artikelnummer	BSS84XHZGG2CR
LIXINC Part #	BSS84XHZGG2CR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSS84XHZGG2CR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 19 - Sep 23 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSS84XHZGG2CR Spezifikationen

Artikelnummer:	BSS84XHZGG2CR
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	230mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 230mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	34 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DFN1010-3W
Paket / Koffer:	3-XFDFN