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PMXB350UPEZ

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Artikelnummer	PMXB350UPEZ
LIXINC Part #	PMXB350UPEZ
Hersteller	Nexperia
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PMXB350UPEZ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 20 - Sep 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PMXB350UPEZ Spezifikationen

Artikelnummer:	PMXB350UPEZ
Marke:	Nexperia
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Nexperia
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.2A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.2V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	447mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	950mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	2.3 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	116 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DFN1010D-3
Paket / Koffer:	3-XDFN Exposed Pad