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IPN65R1K5CEATMA1

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Artikelnummer	IPN65R1K5CEATMA1
LIXINC Part #	IPN65R1K5CEATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPN65R1K5CEATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPN65R1K5CEATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPN65R1K5CEATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolMOS™ CE
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	10.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	225 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	5W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT223
Paket / Koffer:	TO-261-3