RCD075N19TL | ROHM Semiconductor RCD075N19TL | RCD075N19TL Inventory, Best Pricing

RCD075N19TL

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Artikelnummer	RCD075N19TL
LIXINC Part #	RCD075N19TL
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RCD075N19TL PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RCD075N19TL Spezifikationen

Artikelnummer:	RCD075N19TL
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	190 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	336mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1100 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	850mW (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	CPT3
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63