RCD075N19TL

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Artikelnummer RCD075N19TL
LIXINC Part # RCD075N19TL
Hersteller ROHM Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle RCD075N19TL PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RCD075N19TL Spezifikationen

Artikelnummer:RCD075N19TL
Marke:ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:ROHM Semiconductor
Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Not For New Designs
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):190 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:336mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):850mW (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:CPT3
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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