SQP120N06-6M7_GE3 | Vishay / Siliconix SQP120N06-6M7_GE3 | SQP120N06-6M7

SQP120N06-6M7_GE3

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Artikelnummer	SQP120N06-6M7_GE3
LIXINC Part #	SQP120N06-6M7_GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V TO220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SQP120N06-6M7_GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SQP120N06-6M7_GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SQP120N06-6M7_GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	-
Technologie:	-
Drain-Source-Spannung (vdss):	-
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	119A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack