ZXMN3B04N8TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	ZXMN3B04N8TA
LIXINC Part #	ZXMN3B04N8TA
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	ZXMN3B04N8TA PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

ZXMN3B04N8TA Spezifikationen

Artikelnummer:	ZXMN3B04N8TA
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7.2A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	23.1 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2480 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)