RJK60S5DPP-E0#T2 | Rochester Electronics RJK60S5DPP-E0#T2 | RJK60S5DPP-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJK60S5DPP-E0#T2

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	RJK60S5DPP-E0#T2
LIXINC Part #	RJK60S5DPP-E0#T2
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJK60S5DPP-E0#T2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 20 - Sep 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

RJK60S5DPP-E0#T2 Spezifikationen

Artikelnummer:	RJK60S5DPP-E0#T2
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	178mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	27 nC @ 10 V
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.6 pF @ 25 V
fet-Funktion:	Super Junction
Verlustleistung (max.):	33.7W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220FP
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack