NVHL082N65S3F | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVHL082N65S3F

NVHL082N65S3F

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Artikelnummer	NVHL082N65S3F
LIXINC Part #	NVHL082N65S3F
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVHL082N65S3F PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 20 - Sep 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NVHL082N65S3F Spezifikationen

Artikelnummer:	NVHL082N65S3F
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3410 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	313W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3
Paket / Koffer:	TO-247-3