UPA2802T1L-E2-AY | Rochester Electronics UPA2802T1L-E2-AY | UPA2802T1L-E2-AY Inventory, Best Pricing

UPA2802T1L-E2-AY

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Artikelnummer	UPA2802T1L-E2-AY
LIXINC Part #	UPA2802T1L-E2-AY
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 18A 8DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	UPA2802T1L-E2-AY PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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UPA2802T1L-E2-AY Spezifikationen

Artikelnummer:	UPA2802T1L-E2-AY
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 5 V
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.8 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-VDFN Exposed Pad

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