IPD60R600E6ATMA1 | Rochester Electronics IPD60R600E6ATMA1 | IPD60R600E6ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD60R600E6ATMA1

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Artikelnummer	IPD60R600E6ATMA1
LIXINC Part #	IPD60R600E6ATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPD60R600E6ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPD60R600E6ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPD60R600E6ATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	CoolMOS™ E6
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7.3A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	63W (Tc)
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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