SIDR610DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 | SIDR610DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIDR610DP-T1-GE3

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Artikelnummer	SIDR610DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIDR610DP-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SIDR610DP-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SIDR610DP-T1-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SIDR610DP-T1-GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	7.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	38 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1380 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer:	PowerPAK® SO-8