SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3
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Artikelnummer SI4483ADY-T1-GE3
LIXINC Part # SI4483ADY-T1-GE3
Hersteller Vishay / Siliconix
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle SI4483ADY-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SI4483ADY-T1-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:SI4483ADY-T1-GE3
Marke:Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Vishay / Siliconix
Serie:TrenchFET®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:P-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:19.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:135 nC @ 10 V
vgs (max):±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3900 pF @ 15 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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