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IRFH4210DTRPBF

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Artikelnummer	IRFH4210DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH4210DTRPBF
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	HEXFET POWER MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFH4210DTRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRFH4210DTRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFH4210DTRPBF
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	HEXFET®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	25 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	44A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	77 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4.812 pF @ 13 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PQFN (5x6)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN