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RJK03M1DPA-00#J5A

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Artikelnummer	RJK03M1DPA-00#J5A
LIXINC Part #	RJK03M1DPA-00#J5A
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJK03M1DPA-00#J5A PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RJK03M1DPA-00#J5A Spezifikationen

Artikelnummer:	RJK03M1DPA-00#J5A
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	50A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4720 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	45W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-WPAK
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN