2SK536-TB-E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SK536-TB-E

2SK536-TB-E

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	2SK536-TB-E
LIXINC Part #	2SK536-TB-E
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SK536-TB-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

2SK536-TB-E Spezifikationen

Artikelnummer:	2SK536-TB-E
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	*
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	50 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	20Ohm @ 10mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	15 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	200mW (Ta)
Betriebstemperatur:	125°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SC-59
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3