IPA80R1K4P7XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPA80R1K4P7XKSA1 | IPA80R1K4P7XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA80R1K4P7XKSA1

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Artikelnummer	IPA80R1K4P7XKSA1
LIXINC Part #	IPA80R1K4P7XKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPA80R1K4P7XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPA80R1K4P7XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPA80R1K4P7XKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 700µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	250 pF @ 500 V
fet-Funktion:	Super Junction
Verlustleistung (max.):	24W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3F
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack