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IPB080N03LGATMA1

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Artikelnummer	IPB080N03LGATMA1
LIXINC Part #	IPB080N03LGATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	PFET, 48A I(D), 30V, 0.0119OHM,
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPB080N03LGATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPB080N03LGATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPB080N03LGATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	50A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.9 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	47W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB