BSC0302LSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC0302LSATMA1 | BSC0302LSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC0302LSATMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	BSC0302LSATMA1
LIXINC Part #	BSC0302LSATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSC0302LSATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

BSC0302LSATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSC0302LSATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™ 2
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	120 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12A (Ta), 99A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 112µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	79 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7400 pF @ 60 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	156W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TDSON-8-7
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN