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IRFHM8337TRPBF-IR

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Artikelnummer	IRFHM8337TRPBF-IR
LIXINC Part #	IRFHM8337TRPBF-IR
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFHM8337TRPBF-IR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRFHM8337TRPBF-IR Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFHM8337TRPBF-IR
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	HEXFET®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	8.1 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	755 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.8W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN