R8002ANX | ROHM Semiconductor R8002ANX | R8002ANX Inventory, Best Pricing

R8002ANX

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	R8002ANX
LIXINC Part #	R8002ANX
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	R8002ANX PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

R8002ANX Spezifikationen

Artikelnummer:	R8002ANX
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	12.7 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	210 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	35W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220FM
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack