A2I25D025GNR1 | NXP Semiconductors A2I25D025GNR1 | A2I25D025GNR1 Inventory, Best Pricing

A2I25D025GNR1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	A2I25D025GNR1
LIXINC Part #	A2I25D025GNR1
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	IC TRANS RF LDMOS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	A2I25D025GNR1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

A2I25D025GNR1 Spezifikationen

Artikelnummer:	A2I25D025GNR1
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS (Dual)
Frequenz:	2.69GHz
gewinnen:	31.9dB
Spannung - testen:	28 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	59 mA
Leistung:	3.2W
Spannung - bewertet:	65 V
Paket / Koffer:	TO-270-17 Variant, Gull Wing
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-270WBG-17

A2I08H040GNR1	IC RF LDMOS AMP	878 Mehr auf Bestellung
BLF871S,112	RF PFET	822 Mehr auf Bestellung
MRF174	FET RF 65V 150MHZ 211-11	1106 Mehr auf Bestellung
MRFE6VP5300NR1	FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270	1075 Mehr auf Bestellung
MRF6S23100HSR3	FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S	929 Mehr auf Bestellung
MRFE6VP6300HSR3	RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE	894 Mehr auf Bestellung
BF909A215	MOSFET N-CH SOT-143B	3946 Mehr auf Bestellung
BLF8G20LS-400PVU	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B	1020 Mehr auf Bestellung
BLF7G27LS-150P,118	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B	963 Mehr auf Bestellung
MMBFJ211	JFET N-CH 25V 20MA SOT23	24448 Mehr auf Bestellung
MRFE6S9160HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	937 Mehr auf Bestellung
SD4933MR	TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177	906 Mehr auf Bestellung
BLA8G1011LS-300GU	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E	873 Mehr auf Bestellung