A2I08H040GNR1 | NXP Semiconductors A2I08H040GNR1 | A2I08H040GNR1 Inventory, Best Pricing

A2I08H040GNR1

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Artikelnummer	A2I08H040GNR1
LIXINC Part #	A2I08H040GNR1
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	IC RF LDMOS AMP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	A2I08H040GNR1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

A2I08H040GNR1 Spezifikationen

Artikelnummer:	A2I08H040GNR1
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS (Dual)
Frequenz:	920MHz
gewinnen:	30.7dB
Spannung - testen:	28 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	25 mA
Leistung:	9W
Spannung - bewertet:	65 V
Paket / Koffer:	TO-270-15 Variant, Gull Wing
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-270WBG-15

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