IRF6723M2DTR1P | IR (Infineon Technologies) IRF6723M2DTR1P | IRF6723M2DTR1P Inventory, Best Pricing

IRF6723M2DTR1P

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRF6723M2DTR1P
LIXINC Part #	IRF6723M2DTR1P
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF6723M2DTR1P PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRF6723M2DTR1P Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF6723M2DTR1P
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	15A
rds auf (max) @ id, vgs:	6.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1380pF @ 15V
Leistung max:	2.7W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DirectFET™ Isometric MA
Gerätepaket des Lieferanten:	DIRECTFET™ MA