2N7002DW L6327 | IR (Infineon Technologies) 2N7002DW L6327 | 2N7002DW L6327 Inventory, Best Pricing

2N7002DW L6327

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Artikelnummer	2N7002DW L6327
LIXINC Part #	2N7002DW L6327
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2N7002DW L6327 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2N7002DW L6327 Spezifikationen

Artikelnummer:	2N7002DW L6327
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	300mA
rds auf (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.6nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	20pF @ 25V
Leistung max:	500mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT363-6