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IRF5810TR

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Artikelnummer	IRF5810TR
LIXINC Part #	IRF5810TR
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF5810TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 24 - Sep 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRF5810TR Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF5810TR
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 P-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.9A
rds auf (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	650pF @ 16V
Leistung max:	960mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten:	6-TSOP

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