NVMFD5483NLT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFD5483NLT3G

NVMFD5483NLT3G

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Artikelnummer	NVMFD5483NLT3G
LIXINC Part #	NVMFD5483NLT3G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVMFD5483NLT3G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NVMFD5483NLT3G Spezifikationen

Artikelnummer:	NVMFD5483NLT3G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6.4A
rds auf (max) @ id, vgs:	36mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	23.4nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	668pF @ 25V
Leistung max:	3.1W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)