PHN210,118 | NXP Semiconductors PHN210,118 | PHN210,118 Inventory, Best Pricing

PHN210,118

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Artikelnummer	PHN210,118
LIXINC Part #	PHN210,118
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PHN210,118 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 24 - Sep 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PHN210,118 Spezifikationen

Artikelnummer:	PHN210,118
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	-
rds auf (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	6nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	250pF @ 20V
Leistung max:	2W
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO

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