NJVMJD3055T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NJVMJD3055T4G

NJVMJD3055T4G

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Artikelnummer	NJVMJD3055T4G
LIXINC Part #	NJVMJD3055T4G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 60V 10A DPAK-4
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NJVMJD3055T4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NJVMJD3055T4G Spezifikationen

Artikelnummer:	NJVMJD3055T4G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	60 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	8V @ 3.3A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	50µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 4A, 4V
Leistung max:	1.75 W
Frequenz - Übergang:	2MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK