MJD122T4G | Rochester Electronics MJD122T4G | MJD122T4G Inventory, Best Pricing

MJD122T4G

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	MJD122T4G
LIXINC Part #	MJD122T4G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MJD122T4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

MJD122T4G Spezifikationen

Artikelnummer:	MJD122T4G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	4V @ 80mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	10µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 4A, 4V
Leistung max:	1.75 W
Frequenz - Übergang:	4MHz
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK