FJN3312RTA | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJN3312RTA

FJN3312RTA

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Artikelnummer	FJN3312RTA
LIXINC Part #	FJN3312RTA
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FJN3312RTA PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FJN3312RTA Spezifikationen

Artikelnummer:	FJN3312RTA
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Box (TB)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	40 V
Widerstand - Basis (r1):	47 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	250 MHz
Leistung max:	300 mW
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92-3