PDTA123ES,126 | NXP Semiconductors PDTA123ES,126 | PDTA123ES,126 Inventory, Best Pricing

PDTA123ES,126

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Artikelnummer	PDTA123ES,126
LIXINC Part #	PDTA123ES,126
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PDTA123ES,126 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PDTA123ES,126 Spezifikationen

Artikelnummer:	PDTA123ES,126
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Box (TB)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	2.2 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 20mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1µA
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	500 mW
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92-3