1N6483HE3/97 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N6483HE3/97

1N6483HE3/97

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Artikelnummer	1N6483HE3/97
LIXINC Part #	1N6483HE3/97
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	1N6483HE3/97 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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1N6483HE3/97 Spezifikationen

Artikelnummer:	1N6483HE3/97
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	SUPERECTIFIER®
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	800 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.1 V @ 1 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	10 µA @ 800 V
Kapazität @ vr, f:	8pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-213AB, MELF (Glass)
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-213AB
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-65°C ~ 175°C