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Artikelnummer | WNSC08650T6J |
LIXINC Part # | WNSC08650T6J |
Hersteller | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Beschreibung | SILICON CARBIDE POWER DIODE |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | WNSC08650T6J PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | WNSC08650T6J |
Marke: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Hersteller: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
Diodentyp: | Silicon Carbide Schottky |
spannung - dc umgekehrt (vr) (max): | 650 V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io): | 8A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 1.7 V @ 8 A |
Geschwindigkeit: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Rückwärtserholzeit (trr): | 0 ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 50 µA @ 650 V |
Kapazität @ vr, f: | 267pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 4-VDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten: | 5-DFN (8x8) |
Betriebstemperatur - Sperrschicht: | 175°C (Max) |
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Auf Lager | 13883 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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