VS-MURB820-1-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-MURB820-1-M3

VS-MURB820-1-M3

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Artikelnummer	VS-MURB820-1-M3
LIXINC Part #	VS-MURB820-1-M3
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 200V 8A TO262AA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-MURB820-1-M3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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VS-MURB820-1-M3 Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-MURB820-1-M3
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	FRED Pt®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	200 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	8A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	975 mV @ 8 A
Geschwindigkeit:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	35 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	5 µA @ 200 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-262AA
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-65°C ~ 175°C