VS-1N3766R | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-1N3766R

VS-1N3766R

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Artikelnummer	VS-1N3766R
LIXINC Part #	VS-1N3766R
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-1N3766R PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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VS-1N3766R Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-1N3766R
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard, Reverse Polarity
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	800 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	35A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.8 V @ 110 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	4 mA @ 800 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Chassis, Stud Mount
Paket / Koffer:	DO-203AB, DO-5, Stud
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-203AB
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-65°C ~ 190°C