1N5553US | Roving Networks / Microchip Technology 1N5553US

1N5553US

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Artikelnummer	1N5553US
LIXINC Part #	1N5553US
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	1N5553US PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

1N5553US Spezifikationen

Artikelnummer:	1N5553US
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	800 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	3A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.2 V @ 9 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	2 µs
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	1 µA @ 800 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SQ-MELF, B
Gerätepaket des Lieferanten:	B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-65°C ~ 175°C

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